（原标题：闪迪正在研发颠覆性内存？）在线av hsex

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来源：施行编译自eenewseurope，谢谢。

有迹象标明，Sandisk Corp. 正在寻求在一位管束英特尔基于 3D XPoint 的 Optane 内存业务的高管的归拢下创建一种非易失性相变内存。

2025 年 2 月，Sandisk 从数据存储公司西部数据分拆出来，其时该公司暗意，它盘算提供闪存家具，同期起劲于成立新兴的颠覆性内存期间。

在2月11日分拆前不久举行的Sandisk投资者日上，行将上任的内存期间高档副总裁Alper Ilkbahar面孔了他称之为3D矩阵内存的期间，以为这是公司以前的发展方针。在2022年2月加入西部数据/Sandisk之前，Ilkbahar自2016年9月起在英特尔使命；来源担任数据中心内存总司理，并从2020年10月起担任傲腾内存业务司理。

Ilkbahar 在演讲中暗意，Sandisk 自 2017 年以来一直起劲于 3D 矩阵存储器期间的计议，并通过与比利时鲁汶 IMEC 的合营参加了“家具化阶段”，该情势于 2024 年启动，名为“Project Neo”。两边将连续合营，以弥合“实验室到晶圆厂的差距”，Ilkbahar 暗意，这在使用“新材料组合”时尤为必要。

伊尔克巴哈尔在演讲中并未知道3D矩阵存储器的材料竖立或运行旨趣。他以致莫得阐发这是一种非易失性存储器，但接头到他本东谈主在英特尔的经验，以及他败露该期间正被好意思国政府用作非易失性计策抗放射存储器成立条约的基础，相变期间彰着是一项颇具竞争力的期间。

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此外，Ilkbahar 在会议上援用的两张图表自满，3D Matrix Memory 与英特尔的 3D XPoint 内存有着惊东谈主的雷同之处，后者短长易失性的，大齐被以为是基于硫族化物相变期间。

层XYX交叉点存储器堆栈是其一个雷同之处。另一个雷同之处是存储器单位中高度受限或截断的圆顶状暗影，这可能是热驱动相变器件的一个特征，尽管图像辨认率较低，因此无法得出论断。磁阻立时存取存储器 (MRAM) 也用于抗放射存储器，但横截面图看起来并不像 MRAM 器件。概述接头这些身分，不错意想 3D 矩阵存储器是 PCM 和 3D XPoint 发展阶梯的延续。

傲腾

3D XPoint 期间由英特尔和好意思光公司于 2006 年运转斡旋成立，并于 2015 年认真发布。它是英特尔傲腾内存业务的基础，该业务在经验多年的财务吃亏和阛阓弃取有限后，于 2022 年 7 月认真罢手。

证据英特尔2021年第四季度的财务施展，傲腾业务在2020年的销售额为3.92亿好意思元，但吃亏5.76亿好意思元。从2017年到2022年的家具质命周期来看（不包括多年的研发本钱），傲腾业务可能给英特尔酿成了越过10亿好意思元的损失。2020年10月，英特尔告示以90亿好意思元的价钱将其非易失性存储器和固态硬盘(SSD)业务出售给SK海力士，但傲腾业务被明确抛弃在外。

伊尔克巴哈尔在 Sandisk 的演示中暗意：“动作 3D XPoint 内存的发明者，咱们非常自重地向全球展示一种全新、革命、可推广的 3D 架构，旨在提供雷同 DRAM 的性能，容量普及 4 倍，而位本钱镌汰一半。”

Ilkbahar 莫得详备阐发他提到的 3D XPoint。他连续说谈：“这项期间的中枢是咱们领有一个新颖的存储单位，它使咱们约略推广到密集阵列架构。在家具层面，咱们盘算将内存聚首到行业程序的聚首点，举例 CXL 总线。”

Ilkbahar 向不雅众展示了与 IMEC 合营的成立平台，这是一个 4Gbit 和 8Gbit 内存平台，并计议向生意客户提供 32Gbit 和 64Gbit 内存样品。不外，他并未知道这些成立的具体时期表。

ANGSTRM情势

3D矩阵存储器是一种相变存储器，这少量得到了以下事实的赞助：2023年，西部数据/Sandisk公司赢得了好意思国空军计议实验室3500万好意思元的资助，用于在ANGSTRM名刻下成立先进的下一代计策抗放射存储器。ANGSTRM情势为期54个月，瞻望于2028年11月完成。西部数据/Sandisk公司是十家恳求公司中惟一的赢家。

ANGSTRM 情势负责成立一种计策性抗放射非易失性存储器在线av hsex，条目单片存储器容量为 4Gbit 至 16Gbit，读/写次数为 10^9 至 10^12，数据保存时期为 10 至 15 年。

PCM 被大齐以为是新兴非易失性存储器期间中抗放射性能最好的期间之一，因为它的使命旨趣基于材料相变，而非更容易受到影响的电荷存储。MRAM 也适用于抗放射期骗，尤其是在天际环境中，因为它自身就具有抗电离放射和其他天际关联危害的才略。

问题

英特尔覆没了销售傲腾，原因是吃亏，这可能与制酿本钱和良率低下商量，也可能与3D-NAND和堆叠DRAM等竞争期间在高带宽内存（HBM）方面的改良商量。尽管2020年8月曾预览过四层的第二代组件，但3D XPoint仍难以出奇双层竖立。

要是 3D 矩阵存储器的非易失性存储器单位基于相变材料，则需要回复好多问题：

材质套装是啥？

Sandisk 是否已取得英特尔、好意思光和/或其他公司的许可来成立该期间？

3D 矩阵内存与 3D XPoint 有何不同？要是有，那么有何不同？

Sandisk 是否还是发现英特尔无法处分的期间/阛阓问题？

Sandisk 能否解释它还是处分了这些问题？

要是 3D 矩阵存储器基于电阻式 RAM，那么就必须冷落不同的问题：

材质套装是啥？

运作旨趣是什麼？

故障模式、操作明锐性和可靠性问题是什么？

怎样技艺使电荷存储非易失性存储器的抗放射性能达到计策水平？

到现在为止，东谈主们以为不再有任何芯片公司追求用于分离式高容量元件的相变存储器，但 Sandisk 可能是这项领有 55 年历史的期间的剩余高容量冠军。

与此同期，意法半导体已将PCM部署到汽车微阻挡器等镶嵌式和坚固耐用的期骗范畴（参见意法半导体推出带有镶嵌式相变存储器的MCU样品）。该公司计议弃取三星代工场提供的18nm FDSOI制造工艺来提供镶嵌式PCM。

https://www.eenewseurope.com/en/does-phase-change-memory-ride-again-with-sandisk/

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